Как самому сделать радиатор для транзистора то-18 то-39

Это интересно

Содержание


Радиаторы для полупроводниковых приборов

Во время работы мощные полупроводниковые приборы выделяют в окружающую среду определенную теплоту. Если не позаботиться об их охлаждении, транзисторы и диоды могут выйти из строя из-за перегрева рабочего кристалла. Обеспечение нормального теплового режима транзисторов (и диодов) — одна из важных задач. Для правильного решения этой задачи нужно иметь представление о работе радиатора и технически грамотном его конструировании.

Как известно, любой нагретый предмет охлаждаясь отдает тепло окружающей среде. Пока количество тепла, выделяющегося в транзисторе, больше отдаваемого им среде — температура корпуса транзистора будет непрерывно возрастать. При некотором ее значении наступает так называемый тепловой баланс, то есть равенство количеств рассеиваемого и выделяемого тепла. Если температура теплового баланса меньше максимально допустимой для транзистора — он будет надежно работать. Если эта температура выше допустимой максимальной температуры — транзистор выйдет из строя. Для того, чтобы тепловой баланс наступал при более низкой температуре, необходимо увеличить теплоотдачу транзистора.

Известны три способа передачи тепла: Теплопроводность, Лучеиспускание и Конвекция. Теплопроводность воздуха обычно мала — этим значением при расчете радиатора можно пренебречь. Доля тепла, рассеиваемая лучеиспусканием значительна лишь при высоких температурах (несколько сотен градусов по Цельсию), поэтому этой величиной при относительно низких температурах работы транзисторов (не более 60-80 градусов) также можно пренебречь. Конвекция — это движение воздуха в зоне нагретого тела, обусловленное разностью температур воздуха и тела. Количество тепла, отдаваемого нагретым предметом, пропорционально разности температур предмета и воздуха, площади поверхности и скорости воздушного потока, омывающего тело.

В молодости я столкнулся с оригинальным решением отвода тепла от мощных выходных транзисторов. Транзисторы (тогда для построения усилителей применяли транзисторы типа П210) на длинных проводах находились вне корпуса. К корпусу были прикручены две пластиковые баночки с водой, а транзисторы лежали в них. Таким образом было обеспечено водяное эффективное охлаждение. Когда вода в баночках нагревалась — ее просто заменяли на холодную. Вместо воды можно использовать минеральное (жидкое) или трансформаторное масло. Сейчас промышленность начала серийно выпускать водяные системы охлаждения процессоров и видеокарт компьютеров — по принципу автомобильных радиаторов (но это — уже, на мой взгляд, экзотика. ).

Для обеспечения эффективного отвода тепла от кристалла полупроводника применяют теплоотводы (радиаторы). Познакомимся с некоторыми из конструкций радиаторов.

На приведенных рисунках показаны четыре разновидности теплоотводов.

Простейшим из них является пластинчатый радиатор. Площадь его поверхности равна сумме площадей двух сторон. Идеальной формой такого теплоотвода является круг, далее идут квадрат и прямоугольник. Пластинчатый радиатор целесообразно применять при небольших мощностях рассеивания. Устанавливаться такой радиатор должен вертикально, в противном случае — эффективная площадь рассеяния снижается.

Усовершенствованный пластинчатый теплоотвод представляет собой набор из нескольких пластин, загнутых в разные стороны. Этот радиатор при площади поверхности равной простейшему пластинчатому имеет меньшие габариты. Устанавливается такой теплоотвод аналогично пластинчатому. Количество пластин может быть различным — в зависимости от необходимой поверхности. Площадь рассеивания такого радиатора равна сумме площадей всех загнутых участков пластин, плюс площадь поверхности центральной части. Это тип радиатора имеет и недостатки: пониженную эффективность отвода тепла от всех пластин, а также невозможность получения идеально прямой поверхности в местах соединения пластин между собой.

Для изготовления пластинчатых радиаторов следует использовать пластины с толщиной не менее 1,5 (лучше — 3) миллиметров.

Ребристый радиатор — обычно цельнолитой, либо фрезерованный — может быть с одно или двухсторонним оребрением. Двухстороннее оребрение позволяет увеличить площадь поверхности. Площадь поверхности такого теплоотвода равна сумме площадей поверхности всех пластин и сумме площади поверхности основного тела радиатора.

Самым эффективным из всех перечисленных является штыревой (или игольчатый) радиатор. При минимальном объеме такой радиатор имеет максимальную эффективную площадь рассеивания. Площадь поверхности такого теплоотвода равна сумме площадей каждого штырька и площади основного тела.

Также существуют теплоотводы с принудительной подачей воздуха (пример — кулер процессора в вашем компьютере). Эти теплоотводы при небольшой площади поверхности радиатора способны рассеивать в окружающую среду значительные мощности (к примеру — процессор среднего быстродействия Р-1000 выделяет, в зависимости от загрузки 30-70 ватт тепловой энергии). Недостаток таких теплоотводов — повышенный шум при эксплуатации и ограниченный срок работы (механический износ вентилятора).

Материалом для радиаторов обычно служит алюминий и его сплавы. Лучшей эффективностью обладают теплоотводы, выполненные из меди, но вес и стоимость таких радиаторов выше, чем у алюминиевых.

Полупроводниковый прибор крепится на теплоотвод при помощи специальных фланцев. Если необходимо изолировать прибор от радиатора — применяются различные изоляционные прокладки. Применение прокладок снижает эффективность передачи тепла от кристалла, поэтому, если есть возможность — лучше изолировать теплоотвод от шасси конструкции. Для более эффективного отвода тепла поверхность, которая соприкасается с полупроводниковым прибором, должна быть ровной и гладкой. Для повышения эффективности применяют специальные термопасты (например КПТ-8). Применение термопаст способствует уменьшению теплового сопротивления участка корпус — теплоотвод и позволяет несколько понизить температуру кристалла. В качестве прокладок используют слюду, различные пленки из пластмассы, керамику. В свое время мной было получено авторское свидетельство по способу изолирования корпуса транзистора от теплоотвода. Суть данного метода заключается в следующем: Поверхность теплоотвода покрывается тонким слоем термопасты (например типа КПТ-8), на поверхность пасты наносится (методом насыпания) слой кварцевого песка (я использовал песок из плавкого предохранителя), далее излишек песка удаляется стряхиванием и транзистор плотно прижимается при помощи хомута, изготовленного из изоляционного материала. При заводских испытаниях данного метода прокладка выдерживала кратковременно подачу напряжения в 1000 вольт (от мегометра).

Некоторые зарубежные мощные транзисторы выпускаются в изолированном корпусе — такой транзистор можно крепить непосредственно к теплоотводу без применения каких либо прокладок (но это не исключает применения термопаст!).

Источником тепла в системе транзистор-радиатор-окружающая среда является коллекторный P-N переход. Весь путь тепла в этой системе можно разделить на три участка: переход — корпус транзистора, корпус транзистора — теплоотвод, теплоотвод — окружающая среда. Вследствие неидеальности передачи тепла температуры перехода, корпуса транзистора и окружающей среды существенно отличаются. Это происходит потому, что тепло на своем пути встречает некоторое сопротивление, называемое тепловым сопротивлением. Это сопротивление равно отношению разности температур на границах участка к рассеиваемой мощности. Сказанное можно проиллюстрировать примером: по справочнику тепловое сопротивление переход-корпус транзистора П214 равно 4 градуса Цельсия на ватт. Это означает, что в случае рассеивания на переходе мощности в 10 ватт, переход будет теплее корпуса на 4*10=40 градусов! Если учесть при этом тот факт, что максимальная температура перехода равна 85 градусам, то станет ясно, что температура корпуса при указанной мощности не должна превышать 85-40= 45 градусов Цельсия. Наличие теплового сопротивления радиатора является причиной существенного различия температуры его участков, разноудаленных от места установки транзистора. Это означает, что в активной отдаче тепла участвует не вся поверхность радиатора, а лишь часть ее, которая имеет наиболее высокую температуру и поэтому наилучшим образом омывается воздухом. Эта часть и называется эффективной поверхностью радиатора. Она будет тем больше, чем выше теплопроводящая способность радиатора. Теплопроводящая способность радиатора зависит от свойств материала из которого изготовлен теплоотвод и его толщины. Вот поэтому для изготовления теплоотводов используют медь или алюминий.

Полный расчет радиатора — очень трудоемкий процесс. Для грубого расчета можно использовать следующие данные: Для рассеивания 1 ватта тепла, выделяемого полупроводниковым прибором, достаточно использовать площадь теплоотвода, равную 30 квадратным сантиметрам.

Рекомендуемые площади радиаторов для некоторых диодов приведены в таблице:

Как самому сделать радиатор для транзистора то-18 то-39


как сделать солнечную батарею

Используйте советские транзисторы с железным, большим корпусом. Срезав нажевкой по металлу корпус и при подаче на него освещения, будет вырабатываться напряжение около 1В с одного транзистора! При правильном подключении можно получить причное напряжение!

История изобретения транзистора

Оригинальный набор ножей с подставкой в виде человечка. Ножи впоследствии названного p- переходом. В 1946 г. В. Лошкарев открыл биполярную диффузию неравновесных носителей тока в полупроводниках. Им же был раскрыт механизм инжекции – важнейшего явления, на основе которого действуют полупроводниковые диоды и транзисторы. Большой вклад в исследование свойств полупроводников внесли И.В.Курчатов, Ю.М.Кушнир, Л.Д.Ландау, В.М.Тучкевича, Ж.И.Алферов и др. Таким образом, к концу сороковых годов двадцатого века основы теоретической базы для создания транзисторов были проработаны достаточно глубоко, чтобы приступать к практическим работам. 1. ИСТОРИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ ТРАНЗИСТОРА Первой известной попыткой создания кристаллического усилителя в США предпринял немецкий физик Юлиус Лилиенфельд, запатентовавший в 1930, 1932 и 1933 гг. три варианта усилителя на основе сульфида меди. В 1935 г. немецкий у ченый Оскар Хейл получил британский патент на усилитель на основе пятиокиси ванадия. В 1938 г. немецкий физик Поль создал действующий образец кристаллического усилителя на нагретом кристалле бромида калия. В довоенные годы в Германии и Англии было выдано еще несколько аналогичных патентов. Эти усилители можно считать прообразом современных полевых транзисторов. Однако построить устойчиво работающие приборы не удавалось, т.к. в то время еще не было достаточно чистых материалов и технологий их обработки. В первой половине тридцатых годов точечные триоды изготовили двое радиолюбителей – канадец Ларри Кайзер и тринадцатилетний новозеландский школьник Роберт Адамс. В июне 1948 г. (до обнародования транзистора) изготовили свой вариант точечного германиевого триода, названный ими транзитроном, жившие тогда во Франции немецкие физики Роберт Поль и Рудольф Хилш. В начале 1949 г. было организовано производство транзитронов, применялись они в телефонном оборудовании, причем работали лучше и дольше американских транзисторов. В России в 20-х годах в Нижнем Новгороде О.В.Лосев наблюдал транзисторный эффект в системе из трех – четырех контактов на поверхности кремния и корборунда. В середине 1939 г. он писал: с полупроводниками может быть построена трехэлектродная система, аналогичная триоду, но увлекся открытым им светодиодным эффектом и не реализовал эту идею. К транзистору вело множество дорог. 2. ПЕРВЫЙ ТРАНЗИСТОР Выше описанные примеры проектов и образцов транзисторов были результатами локальных всплесков мысли талантливых или удачливых людей, не подкрепленные достаточной экономической и организационной поддержкой и не сыгравшие серьезной роли в развитии электроники. Дж. Бардин, У. Браттейн и У. Шокли оказались в лучших условиях. Они работали по единственной в мире целенаправленной долговременной (более 5 лет) программе с достаточным финансовым и материальным обеспечением в фирме Bell elepho e Labora ories, тогда одной из самых мощных и наукоемких в США. Их работы были начаты еще во второй половине тридцатых годов, работу возглавил Джозеф Бекер, который привлек к ней высококлассного теоретика У. Шокли и блестящего экспериментатора У. Браттейна. В 1939 г. Шокли выдвинул идею изменять проводимость тонкой пластины полупроводника (оксида меди), воздействуя на нее внешним электрическим полем.

В этих работах использовалась оригинальная методика исследования приконтактной области путем введения в нее дополнительной иглы, вследствие чего создавалась конфигурация, в точности повторяющая точечный транзистор. Иногда при измерениях выявлялись и транзисторные характеристики (влияние одного p — перехода на другой близко расположенный), но их отбрасывали как случайные и неинтересные аномалии. Мало в чем наши исследователи уступали американским специалистам, не было у них лишь одного — нацеленности на транзистор, и великое открытие выскользнуло из рук. Начиная с 1947 г. интенсивные работы в области полупроводниковых усилителей велись в ЦНИИ-108 (лаб. С. Г. Калашникова) и в НИИ-160 (НИИ Исток, Фрязино, лаб. А. В. Красилова). В 1948 г. группа А. В. Красилова, разрабатывавшая германиевые диоды для радиолокационный станций, также получила транзисторный эффект и попыталась объяснить его. Об этом в журнале Вестник информации в декабре 1948 ими была опубликована статья Кристаллический триод — первая публикация в СССР о транзисторах. Напомним, что первая публикация о транзисторе в США в журнале he Physical Review состоялась в июле 1948 г. т.е. результаты работ группы Красилова были независимы и почти одновременны. Таким образом научная и экспериментальная база в СССР была подготовлена к созданию полупроводникового триода (термин транзистор был введен в русский язык в середине 60-х годов) и уже в 1949 г. лабораторией А. В. Красилова были разработаны и переданы в серийное производство первые советские точечные германиевые триоды С1 — С4. В 1950 г. образцы германиевых триодов были разработаны в ФИАНе (Б.М. Вул, А. В. Ржанов, В. С. Вавилов и др.), в ЛФТИ (В.М. Тучкевич, Д. Н. Наследов) и в ИРЭ АН СССР (С.Г. Калашников, Н. А. Пенин и др.). В мае 1953 г. был образован специализированный НИИ (НИИ-35, позже – НИИ Пульсар), учрежден Межведомственный Совет по полупроводникам. В 1955 г. началось промышленное производство транзисторов на заводе Светлана в Ленинграде, а при заводе создано ОКБ по разработке полупроводниковых приборов. В 1956 г. московский НИИ-311 с опытным заводом переименован в НИИ Сапфир с заводом Оптрон и переориентирован на разработку полупроводниковых диодов и тиристоров. На протяжении 50-х годов в стране были разработаны ряд новых технологий изготовления плоскостных транзисторов: сплавная, сплавно-диффузионная, меза-диффузионная. Полупроводниковая промышленность СССР развивалась достаточно быстро: в 1955 г. было выпущено 96 тысяч, в 1957 г. – 2,7 млн, а в 1966 г. – более 11 млн. транзисторов. И это было только начало. 6. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Первый полевой транзистор был запатентован в США в 1926/30гг. 1928/32гг. и 1928/33гг. Лилиенфельд – автор этих потентов. Он родился в 1882 году в Польше. С 1910 по 1926 г. был профессором Лейпцигского университета. В 1926 г. иммигрировал в США и подал заявку на патент. Предложенные Лилиенфельдом транзисторы не были внедрены в производство. Наиболее важная особенность изобретения Лилиенфельда заключается в том, что он понимал работу транзистора на принципе модуляции проводимости исходя из электростатики.

Плоскостные транзисторы обладают рядом преимуществ перед точечными: они более доступны теоретическому анализу, обладают более низким уровнем шумов, обеспечивают большую мощность и, главное, более высокие повторяемость параметров и надежность. Но, пожалуй, главным их преимуществом была легко автоматизируемая технология, исключающая сложные операции изготовления, установки и позиционирования подпружиненных иголочек, а также обеспечивавшая дальнейшую миниатюризацию приборов. 30 июня 1948 г. в нью-йоркском офисе Bell Labs изобретение было впервые продемонстрировано руководству компании. Но оказалось, что создать серийноспособный плоскостной транзистор гораздо труднее, чем точечный. Транзистор Браттейна и Бардина – чрезвычайно простое устройство. Его единственным полупроводниковым компонентом был кусочек относительно чистого и вполне тогда доступного германия. А вот техника легирования полупроводников в конце сороковых годов, необходимая для изготовления плоскостного транзистора, еще находилась в младенчестве, поэтому изготовление серийноспособного транзистора по Шокли удалось только в 1951 г. В 1954 году Bell Labs разработала процессы окисления, фотолитографии, диффузии, которые на многие годы стали основой производства полупроводниковых приборов. Точечный транзистор Бардина и Браттейна – безусловно огромный прогресс по сравнению с электронными лампами. Но не он стал основой микроэлектроники, век его оказался короток, около 10 лет. Шокли быстро понял сделанное коллегами и создал плоскостной вариант биполярного транзистора, который жив и сегодня и будет жить, пока существует микроэлектроника. Патент на него он получил в 1951 г. А в 1952 г. У. Шокли создал и поле вой транзистор, так же им запатентованный. Так что свое участие в Нобелевской премии он заработал честно. Число производителей транзисторов росло как снежный ком. Bell Labs, Shockley Semico duc or, Fairchild Semico duc or, Wes er Elec ric, GSI (с декабря 1951 г. exas I s rume s), Mo orola, okyo Cousi (С 1958 г. So y), EC и многие другие. В 1950 г. фирма GSI разработала первый кремниевый транзистор, а с 1954 г. преобразившись в exas I s rume s. начала его серийное производство. 4. ХОЛОДНАЯ ВОЙНА И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ЭЛЕКТРОНИКУ После окончания Второй мировой войны мир раскололся на два враждебных лагеря. В 1950-1953 гг. эта конфронтация вылилась в прямое военное столкновение – Корейскую войну. Фактически это была опосредованная война между США и СССР. В это же время США готовились к прямой войне с СССР. В 1949 г. в США был разработан опубликованный ныне план Последний выстрел (Opera io Dropsho ), фактически план Третье мировой войны, войны термоядерной. План предусматривал прямое нападение на СССР 1 января 1957 г. В течение месяца предполагалось сбросить на наши головы 300 50-килотонных атомных и 200 000 обычных бомб. Для этого план предусматривал разработку специальных баллистических ракет, подводных атомных лодок, авианосцев и многого другого. Так началась развязанная США беспрецедентная гонка вооружений, продолжавшаяся всю вторую половину прошлого века, продолжающаяся, не столь демонстративно, и сейчас.

можно ли солнечную батарею изготовить самому в домашних условиях

Татьяна Чиликина Профи (918), закрыт 5 лет назад

Open Ocean Оракул (61702) 5 лет назад

из транзисторов. сложно, но можно.

Практически все полупроводниковые диоды и транзисторы в стеклянном корпусе могут служить фотоэлектрическими преобразователями. Для этого достаточно удалить их непрозрачную оболочку. Солнечную батарею можно изготовить из неисправных транзисторов, но при условии, что у них нет короткого замыкания между базой и коллектором или базой и эмиттером. Чем больше мощность транзистора, тем лучший из него получается фотоэлемент. У транзисторов в металлическом корпусе осторожно удаляют корпус или спиливают верхнюю его часть. Перед сборкой батареи следует проверить каждый из ее элементов. Для этого между выводами базы и коллектора включают миллиамперметр с пределом измерения до 1 мА: плюс прибора подключают к коллектору (или эмиттеру). а минус 2. 0,3 мА. Напряжение, измеренное на зажимах элемента, будет около 0,15 В.

Для солнечной батареи подбирают элементы с близкими вольт-амперными характеристиками. Батарея состоит из двух параллельно соединенных рядов фотопреобразователей, в каждом ряду находится 10. 12 соединенных последовательно элементов.

Лицевая панель фотоприемника показана на рис. 6.1, г, элементы защищены тонким стеклом или оргстеклом. Выключатель питания практически не нужен, так как батарея сама выключается, когда ее прячут в карман или ящик письменного стола.

Солнечная батарея, собранная на транзисторах типа TG50, дает ток 0,5 мА при напряжении 1,5 В. Применяя транзисторы TG70, П201. 203, можно получить ток 3 мА при напряжении 1,5 В.

Громкость приемника, который питается от солнечной батареи, зависит не только от интенсивности освещения, но и от размеров антенны и качества заземления. В квартире заземлением может служить водопроводная труба или батарея центрального отопления, а в открытой местности 5. 0, 7 м, соединенный многожильным проводом с гнездом Земля приемника. Приемник с солнечной батареей особенно оправдывает себя на пляже, где яркое солнце и влажный песок (хорошее заземление).

Татьяна Чиликина Профи (918) 5 лет назад

вот это я пнимаю ответ,благодарю вас за него,ваш ответ самый лучший

Только имейте ввиду, что слова громкость приёмника. скорее выдают желаемое автора конструкции за действительное, поскольку мощность в 0.5(половину!!) милливатта, которую максимально можно получить в такой конструкции, даже для чувствительных наушников явно маловата. В общем, надо иметь идельный слух, чтобы от такого приёмника хоть что-нибудь услышать :=)


AVEST

1400.) AVEST собран на процессоре LC863324 и видеопроцессоре LA76810 1). срыв синхронизации замена C562 (250Х22мкф), 2). булькает пытается запустится зам V553.

1422.) Avest 54 Тц-01(Адрес производителя www.avest-tv.ru) Неисправность: сужен экран присутствуют вертикальные полосы (или столбы) небольшая яркость свечения экрана, подозрение на тдкс но виной всему оказался транзистор строчной развертки 3DD2102 звонился как исправный, заменен на 2SD2333.

1655.) AVEST 72ТЦ-02-С. Нет синхронизации. Неисправен конденсатор С252 (100n). Подключен по 43 ножке видеопроцессора.

1954.) Avest 72см, видеопроцессор подаваемые на тюнер кадровая D9302, (TDA9302H, LA78045). Неисправность: нет кадровой развёртки. Оборван или сгорел дроссель L401 22µH. (дежурная неисправность, за неделю 4 аппарата.)

2036.) Avest 64ТЦ-04 шасси С11Ч2. Неисправность: телевизор гоняет программы по кругу. Неисправен процессор управления TDA9384, (частая неисправность) 5 нога процессора звонится 10-150 Ом. Кнопки управления металлизированы. Статика однако. Требуется доработка ТВ. Проверить правильность подключения платы управления к шасси телевизора. Белый провод от платы управления должен быть подключен к общей точке схемы, а синий к управляющему входу микропроцессора произвести заземление проводящего напыления на кнопках платы управления.

2321.) Avest 64ТЦ-03 Неисправность: периодически уходит в дежурку включаешь с пульта или панели снова работает от 1 мин до часа. Заменил транзистор Q003 C1815, через который на процессор приходят синхроимпульсы (TVSinc).

2616.) AVEST 54ТЦ04 Неисправность: через несколько минут после включения аппарата при переходе с программы на программу экран не гаснет, а остается серым с линиями ОХ, причем на мгновение дергается размер по горизонтали, и может в этот момент отключиться в дежурный режим. Еще через пару минут самопроизвольно уходит в дежурный режим посреди программы, хотя его уже никто не трогает. Изображение и звук в норме. Легко включается обратно, потом вновь отключается. Причиной столь странного поведения оказался электролит по сетевому питанию 0х160В 105С.

2630.) AVEST модель TRB-2158. Неисправность: поступил в ремонт после того как был залит водой. Хозяин помыл с мылом затем посушил. После включения сгорел транзистор строчной развёртки D1555. Затем ТДКС BSC 25-4801.Также как потом выяснилось был расстроен подстроечник AP551 в блоке питания, из за чего сгорел силовой транзистор 2SD1545. Вместо него был поставлен отечественный КТ840 на радиаторе примерно 50 см кв. Проблема возникла с ТДКС. Родного нигде не нашлось. Был поставлен BSC24-1101Y. В нём, внимание, вывод общий. Вывода 5, 6 не нужны. вывода 1, 3, 8, 9, 7 аналогичны выводам 2, 3, 7, 5, 8.трансформатора BSC25-4801 соответственно. Ну а высоковольтные HU, FOKUS, SCREEN, такие-же. При установке надо соответствующие дорожки разрезать и поставить перемычки на нужные вывода трансформатора. Телевизор работает великолепно. А в магазине меня убеждали что этот трансформатор не подойдёт, нужен родной. Не так страшен чёрт как его Малевич.

2659.) AVEST 64ТЦ-02-С и подобные. Неисправность: нет кадровой развертки, на экране горизонтальная полоса. Не спешите менять микросхему, характерный дефект подающего питание на выходной каскад микросхемы 0х16V в цепи питания +10V.

2787.) AVEST 54ТЦ-03 Неисправность: кадровая заужена, снизу экрана заворот с нагревом чуть увеличивается. Неисправна емкость С843 (470х16в) в Б.П.

2794.) Avest ТЦС-2101 Неисправность: на экране полосы, искажения, срыв синхронизации. Причина в емкости С562 10мкфх315V, полный обрыв.

2813.) Avest 72ТЦ03 Неисправность: пытается запуститься и сразу выключается. Попробывали отключить кадровую, телевизор включился, понятно узкая полоса. Замена кадровой тот же дефект. А причина оказалась в микросхеме БП TDA16846-2P, после ее замены телевизор заработал.

2816.) AVEST ТЦС-1401. Неисправность: не запускается БП. Неисправен транзистор V511 2SA1015, утечка К-Э.

2893.) AVEST 54ТЦ-03, тип 47Е248Е2. ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ: поступают с диагнозом щёлкнул и погас. Неисправен ИП. Не спешим ремонтировать. Проверяем диод по вторичке 115V. Если КЗ, то на этом ремонт можно заканчивать. Убит FBT BSC2-010- 100%, процессор -90%. Кому интересно, может запустить ИП. После включения разряд FBT на близстоящий радиатор ИП и результат- вновь убитый источник. Статистика: Поступило в ремонт с полсотни 47Е248Е2. Ни одного с исправным FBT.

2930.) AVEST 72TC-02C19H3 Неисправность: пропал звук. Процессор HISENSE-EXPORT1 5H31-3PB3 видео TB1238N электронный регулятор громкости TA8776N. Для вхождения в сервисное меню необходимо нажать на штатном пульте MENU войти в раздел где заводиться пароль нажать MUTE и ввести код 1238 на экране появиться буква D в пункте MOD1 поставить 17 и звук включиться

3047.) AVEST VR54TS-2145. Неисправность: горизонтальная полоса и 5см. чуть видно заворот. Схемы нет. Заменил TDA8174W, конденсаторы, проверил резисторы и диоды. На десятый раз проверки оборвался диод между 2 и 10 ногой стоит 1N4936. Заменил 2Vпо цепи выв. 7 МП RESET.

3071.) AVEST 64ТЦ-02-С19Н3 МП 5Н32-3РВ3 Неисправность: растр сжат по вертикали. Причина 2 nF


3072.) AVEST 72ТЦ-04-ПС91Ч2 Неисправность: пропадает строчная развертка. Причина 8 mH по цепи обработки ПЧ.

3074.) AVEST 64ТЦ-03ПС286Т3 Неисправность: срыв строчной синхронизации. Изображение складывается. Причина Q062 C33740, IC002 24C08.

3076.) 37ТЦ-03-С19Т2 Неисправность: не включается в рабочий режим. Неисправность 43MHZ. Причина меню и звук. После прогрева феном МП 8821CPNG4UD4 появляется цветное изображение без яркостной составляющей. Причина и разрывного резистора R550 1 Ом / 1 W. Выходные напряжения с блока питания завышены примерно в два раза. При проверке элементов блока питания обнаружен пробитый стабилитрон VD551 6V2. Замена VD551 и оптопары VD515 PC817 ничего не дала. При детальной проверке обнаружена утечка между переходом база эмиттер транзистора V551 C1815 в цепи управления оптопарой. Для большей уверенности так же были заменены транзистор усиления сигнала оптопары V551 A1015, и V512 C3807, а так же конденсатор в цепи строчного транзистора С422 22 мкф / 250В (подсох до 15 мкф). В результате, выходные напряжения пришли в норму, но на этом ремонт не закончился. При установке новой м/сх кадровой и запуске ТВ выяснилось что верхней части экрана появились линии обратного хода. Причиной тому был конденсатор в обвязке кадровой С449 100 мкф / 35В (высох до 2,5 мкф). Таким образом был предотвращен повторный выход из строя м/сх кадровой в ближайшее время. В результате проделанной работы работоспособность ТВ была полностью восстановлена.

3298.) Avest 54ТЦ04 Неисправность: изображение свернуто в горизонтальную полосу, звук есть, процессор команды отрабатывает. При выявлении неисправности обнаружен в обрыве дроссель по питанию кадровой микросхемы (далеко не первый случай). При более детальном осмотре выявлены многочисленные непропаи в цепи кадровой развертки и платы кинескопа. Напряжения БП в норме. Замена дросселя и устранение непропаев полностью восстановили работу ТВ.

3299.) Avest 54ТЦ03 Неисправность: не подает признаков жизни. При замерах вторичные напряжения занижены (вместо 115В 12В). Причиной тому послужила утечка перехода Э-К транзистора Q802 (A1015). Замена транзистора устранила неисправность.

3426.) Avest 54 ТЦ-01 Неисправность: периодически не включается, когда его ко мне привезли он две недели включался, и работал нормально. Много времени на него потратил. Блок питания не выдавал ни каких напряжений, ни дежурного не было ни рабочего режима. Неисправным оказался С514 0.1 мкф.

RadioMaster

Мощный прерыватель тока нагрузки на полевом транзисторе

В статье описание устройства, которое при последовательном включении с нагрузкой обеспечивают периодическое прерывание тока через нее. DD1.6 остается низкий уровень, при этом транзистор VT1 закрыт, а нагрузка обесточена. Времязадающая цепь генератора состоит из элементов R3, R4. Сб. При указанных на схеме номиналах частота управляющих импульсов равна примерно 100 Гц при скважности около 1 4. Подбирая эти элементы, можно изменять частоту генерации от 0,005 Гц до десятков килогерц.

Добавление комментария

При Ваших номиналах(R1-15ком) микросхемы вылетают, я поставил последовательно с ним есче 75ком вроде работает нормально.

Радиаторы и охлаждение.

В физике, электротехнике и атомной термодинамике есть известный закон — ток, протекающий по проводам, нагревает их. Придумали его Джоуль и Ленц, и оказались правы — так оно и есть. Всё, что работает от электричества, так или иначе часть проходящей энергии передаёт в тепло.
Так уж получилось в электронике, что самым страдающим от тепла объектом нашей окружающей среды является воздух. Именно воздуху нагревающиеся детали передают тепло, а от воздуха требуется принять тепло и куда-нибудь подевать. Потерять, к примеру, или рассеять по себе. Процесс отдачи тепла мы с вами назовем охлаждением.
Наши электронные конструкции тоже рассеивают немало тепла, одни — больше, другие — меньше. Греются стабилизаторы напряжения, греются усилители, греется транзистор, управляющий релюшкой или даже просто мелким светодиодом, разве что греется ну совсем немного. Ладно, если греется немного. Ну а если он жарится так, что руку держать нельзя? Давайте пожалеем его и попробуем как-нибудь ему помочь. Так сказать, облегчить его страдания.
Вспомним устройство батареи отопления. Да, да, та самая обычная батарея, что греет комнату зимой и на которой мы сушим носки и футболки. Чем больше батарея, тем больше тепла будет в комнате, так ведь? По батарее протекает горячая вода, она нагревает батарею. У батареи есть важная вещь — количество секций. Секции контактируют с воздухом, передают ему тепло. Так вот, чем больше секций, то есть чем больше занимаемая площадь батареи, тем больше тепла она может нам отдать. Приварив еще парочку секций, мы сможем сделать теплее нашу комнату. Правда, при этом горячая вода в батарее может остыть, и соседям ничего не останется.
Рассмотрим устройство транзистора.


На медном основании (фланце) 1 на подложке 2 закреплен кристалл 3. Он подключается к выводам 4. Вся конструкция залита пластмассовым компаундом 5. У фланца есть отверстие 6 для установки на радиатор.
Вот это по сути та же самая батарея, посмотрите! Кристалл греется, это как горячая вода. Медный фланец контактирует с воздухом, это секции батареи. Площадь контакта фланца и воздуха — это место нагревания воздуха. Нагревающийся воздух охлаждает кристалл.

Как сделать кристалл холоднее? Устройство транзистора мы изменить не можем, это понятно. Создатели транзистора об этом тоже подумали и для нас, мучеников, оставили единственную дорожку к кристаллу — фланец. Фланец — это как одна-единственная секция у батареи — жарить жарит, а тепла воздуху не передается — маленькая площадь контакта. Вот тут предоставляется простор нашим действиям! Мы можем нарастить фланец, припаять к нему еще парочку секций, то бишь большую медную пластинку, благо фланец сам медный, или же закрепить фланец на металлической болванке, называемой радиатором. Благо отверстие во фланце приготовлено под болт с гайкой.

Что же такое радиатор? Я твержу уже третий абзац про него, а толком так ничего и не рассказал! Ладно, смотрим:

Как видим, конструкция радиаторов может быть различной, это и пластинки, и ребра, а еще бывают игольчатые радиаторы и разные другие, достаточно зайти в магазин радиодеталей и пробежаться по полке с радиаторами. Радиаторы чаще всего делают из алюминия и его сплавов (силумин и другие). Медные радиаторы лучше, но дороже. Стальные и железные радиаторы применяются только на очень небольшой мощности, 1-5Вт, так как они медленно рассеивают тепло.
Тепло, выделяемое в кристалле, определяется по очень простой формуле P=U*I. где P — выделяемая в кристалле мощность, Вт, U = напряжение на кристалле, В, I — сила тока через кристалл, А. Это тепло проходит через подложку на фланец, где передается радиатору. Далее нагретый радиатор контактирует с воздухом и тепло передается ему, как следующему участнику нашей системы охлаждения.

Посмотрим на полную схему охлаждения транзистора.

У нас появились две штуки — это радиатор 8 и прокладка между радиатором и транзистором 7. Её может и не быть, что и плохо, и хорошо одновременно. Давайте разбираться.

Расскажу о двух важных параметрах — это тепловые сопротивления между кристаллом (или переходом, как его еще называют) и корпусом транзистора — Rпк и между корпусом транзистора и радиатором — Rкр. Первый параметр показывает, насколько хорошо тепло передается от кристалла к фланцу транзистора. Для примера, Rпк, равное 1,5градуса Цельсия на ватт, объясняет, что с увеличением мощности на 1Вт разница температур между фланцем и радиатором будет 1,5градуса. Иными словами, фланец всегда будет холоднее кристалла, а насколько — показывает этот параметр. Чем он меньше, тем лучше тепло передается фланцу. Если мы рассеиваем 10Вт мощности, то фланец будет холоднее кристалла на 1,5*10=15градусов, а если же 100Вт — то на все 150! А поскольку максимальная температура кристалла ограничена (не может же он жариться до белого каления!), фланец надо охлаждать. На эти же 150 градусов.

К примеру:
Транзистор рассеивает 25Вт мощности. Его Rпк равно 1,3градуса на ватт. Максимальная температура кристалла 140градусов. Значит, между фланцем и кристаллом будет разница в 1,3*25=32,5градуса. А поскольку кристалл недопустимо нагревать выше 140градусов, от нас требуется поддерживать температуру фланца не горячее, чем 140-32,5=107,5градусов. Вот так.
А параметр Rкр показывает то же самое, только потери получаются на той самой пресловутой прокладке 7. У нее значение Rкр может быть намного больше, чем Rпк, поэтому, если мы конструируем мощный агрегат, нежелательно ставить транзисторы на прокладки. Но всё же иногда приходится. Единственная причина использовать прокладку — если нужно изолировать радиатор от транзистора, ведь фланец электрически соединен со средним выводом корпуса транзистора.

Вот давайте рассмотрим еще один пример.
Транзистор жарится на 100Вт. Как обычно, температура кристалла — не более 150градусов. Rпк у него 1градус на ватт, да еще и на прокладке стоит, у которой Rкр 2градуса на ватт. Разница температур между кристаллом и радиатором будет 100*(1+2)=300градусов. Радиатор нужно держать не горячее, чем 150-300 = минус 150 градусов: Да, дорогие мои, это тот самый случай, который спасет только жидкий азот: ужос!
Намного легче живется на радиаторе транзисторам и микросхемам без прокладок. Если их нет, а фланцы чистенькие и гладкие, и радиатор сверкает блеском, да еще и положена теплопроводящая паста, то параметр Rкр настолько мал, что его просто не учитывают.

Разобрались? Поехали дальше!

Охлаждение бывает двух типов — конвекционное и принудительное. Конвекция, если помним школьную физику, это самостоятельное распространение тепла. Так же и конвекционное охлаждение — мы установили радиатор, а он сам там как-нибудь с воздухом разберется. Радиаторы конвекционного типа устанавливаются чаще всего снаружи приборов, как в усилителях, видели? По бокам две металлические пластинчатые штуковины. Изнутри к ним привинчиваются транзисторы. Такие радиаторы нельзя накрывать, закрывать доступ воздуха, иначе радиатору некуда будет девать тепло, он перегреется сам и откажется принимать тепло у транзистора, который долго думать не будет, перегреется тоже и: сами понимаете что будет. Принудительное охлаждение — это когда мы заставляем воздух активнее обдувать радиатор, пробираться по его ребрам, иглам и отверстиям. Тут мы используем вентиляторы, различные каналы воздушного охлаждения и другие способы. Да, кстати, вместо воздуха запросто может быть и вода, и масло, и даже жидкий азот. Мощные генераторные радиолампы частенько охлаждаются проточной водой.
Как распознать радиатор — для конвекционного он или принудительного охлаждения? От этого зависит его эффективность, то есть насколько быстро он сможет остудить горячий кристалл, какой поток тепловой мощности он сможет через себя пропустить.
Смотрим фотографии.

Первый радиатор — для конвекционного охлаждения. Большое расстояние между ребрами обеспечивает свободный поток воздуха и хорошую теплоотдачу. На второй радиатор сверху одевается вентилятор и продувает воздух сквозь ребра. Это принудительное охлаждение. Разумеется, использовать везде можно и те, и те радиаторы, но весь вопрос — в их эффективности.
У радиаторов есть 2 параметра — это его площадь (в квадратных сантиметрах) и коэффициент теплового сопротивления радиатор-среда Rрс (в Ваттах на градус Цельсия). Площадь считается как сумма площадей всех его элементов: площадь основания с обеих сторон + площадь пластин с обеих сторон. Площадь торцов основания не учитывается, так там квадратных сантиметров ну совсем немного будет.

Пример:
радиатор из примера выше для конвекционного охлаждения.
Размеры основания: 70х80мм
Размер ребра: 30х80мм
Кол-во ребер: 8
Площадь основания: 2х7х8=112кв.см
Площадь ребра: 2х3х8=48кв.см.
Общая площадь: 112+8х48=496кв.см.

Коэффициент теплового сопротивления радиатор-среда Rрс показывает, на сколько увеличится температура выходящего с радиатора воздуха при увеличении мощности на 1Вт. Для примера, Rрс, равное 0,5 градуса Цельсия на Ватт, говорит нам, что температура увеличится на полградуса при нагреве на 1Вт. Этот параметр считается трехэтажными формулами и нашим кошачьим умам ну никак не под силу: Rрс, как и любое тепловое сопротивление в нашей системе, чем меньше, тем лучше. А уменьшить его можно по-разному — для этого радиаторы чернят химическим путем (например алюминий хорошо затемняется в хлорном железе — не экспериментируйте дома, выделяется хлор!), еще есть эффект ориентировать радиатор в воздухе для лучшего прохождения его вдоль пластин (вертикальный радиатор лучше охлаждается, чем лежачий). Не рекомендуется красить радиатор краской: краска — лишнее тепловое сопротивление. Если только слегка, чтобы темненько было, но не толстым слоем!

В приложении есть маленький программчик. в котором можно посчитать примерную площадь радиатора для какой-нибудь микросхемы или транзистора. С помощью него давайте рассчитаем радиатор для какого-нибудь блока питания.
Схема блока питания.

Блок питания выдает на выходе 12Вольт при токе 1А. Такой же ток протекает через транзистор. На входе транзистора 18Вольт, на выходе 12Вольт, значит, на нем падает напряжение 18-12=6Вольт. С кристалла транзистора рассеивается мощность 6В*1А=6Вт. Максимальная температура кристалла у 2SC2335 150градусов. Давайте не будем эксплуатировать его на предельных режимах, выберем температуру поменьше, для примера, 120градусов. Тепловое сопротивление переход-корпус Rпк у этого транзистора 1,5градуса Цельсия на ватт.
Поскольку фланец транзистора соединен с коллектором, давайте обеспечим электрическую изоляцию радиатора. Для этого между транзистором и радиатором положим изолирующую прокладку из теплопроводящей резины. Тепловое сопротивление прокладки 2градуса Цельсия на ватт.
Для хорошего теплового контакта капнем немного силиконового масла ПМС-200. Это густое масло с максимальной температурой +180градусов, оно заполнит воздушные промежутки, которые обязательно образуются из-за неровности фланца и радиатора и улучшит передачу тепла. Многие используют пасту КПТ-8, но и многие считают её не самым лучшим проводником тепла.
Радиатор выведем на заднюю стенку блока питания, где он будет охлаждаться комнатным воздухом +25градусов.
Все эти значения подставим в программку и посчитаем площадь радиатора. Полученная площадь 113кв.см — это площадь радиатора, рассчитанная на длительную работу блока питания в режиме полной мощности — дольше 10часов. Если нам не нужно столько времени гонять блок питания, можно обойтись радиатором поменьше, но помассивнее. А если мы установим радиатор внутри блока питания, то отпадает необходимость в изолирующей прокладке, без нее радиатор можно уменьшить до 100кв.см.
А вообще, дорогие мои, запас карман не тянет, все согласны? Давайте думать о запасе, чтобы он был и в площади радиатора, и в предельных температурах транзисторов. Ведь ремонтировать аппараты и менять пережаренные транзисторы придется не кому-нибудь, а вам самим! Помните об этом!
Удачи.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *